Hiden TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物，藥物，超導體，半導體，合金，光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續進(jìn)行，是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜，質(zhì)量數范圍寬，質(zhì)量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無(wú)破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。

TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn)，可以分析所有的導體、半導體、絕緣材料；對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布，表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結構/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物、顆粒物、腐蝕物等）、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力。

一臺SIMS同時(shí)提供四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜：

靜態(tài)SIMS  Static SIMS

動(dòng)態(tài)SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低于ppm

SNMS 離子源，二次中性粒子譜

二次離子質(zhì)譜成像軟件，靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫，二次離子質(zhì)譜后處理軟件

技術(shù)參數：
質(zhì)量數范圍：300，510或1000amu
分辨率：5%的谷，兩個(gè)相連的等高峰。
檢測器：離子計數檢測器，正、負離子檢測
檢測限：1:10E7
質(zhì)量過(guò)濾器：三級過(guò)濾四極桿（9mm桿）
主離子槍?zhuān)?A，氧離子或其它氣體，能量到5KeV
          B，Ga離子槍?zhuān)芰?5KeV（選配）
空間分辨率：A：100～150um
           B: 50nm
取樣深度：2個(gè)單分子層（靜態(tài)）
         不受限制（動(dòng)態(tài)）


主要特點(diǎn)：
1、高靈敏度脈沖離子計數檢測器，7個(gè)數量級的動(dòng)態(tài)范圍
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下
3、光柵控制，增強深度分析能力
4、所有能量范圍內，離子行程的最小擾動(dòng)，及恒定離子傳輸
5、差式泵3級過(guò)濾四極桿，質(zhì)量數范圍至1000amu
6、靈敏度高 / 穩定的脈沖離子計數檢測器
7、Penning規和互鎖裝置可提供過(guò)壓保護
8、通過(guò)RS232、RS485或Ethernet LAN，軟件 MASsoft控制